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Sensori ottici per encoder


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Insieme di dischi, fotodiodi e fototransistors.

Di seguito sono elencati gli opto-dispositivi che montano fotodiodi o fototransistori per applicazioni encoderistiche (trasduttori angolari ottici). Distinguiamo gli optodispositivi per encoder incrementali da quelli per encoder assoluti. In un'altra pagina si possono trovare i dispositivi per applicazioni industriali e per applicazioni specifiche. Alcune caratteristiche che accomunano i nostri optodevices e che delineano la qualitą dei prodotti Micropto sono:
  • funzionano sia in modo fotovoltaico che fotoconduttivo
  • resistono alle sollecitazioni termiche pił severe
  • hanno un'alta precisione meccanica finalizzata all'impiego
  • hanno una elevata resistenza ad accelerazioni e vibrazioni
  • hanno una elevata impermeabilizzazione all'umiditą
  • speciali connessioni elettriche a bassa resistenza
  • elevata tenacia delle piste e delle piazzole e resistenza alla saldatura prolungata
  • facile montaggio SMT in forno di rifusione
  • basso NEP

 

MO-AFD06

MO - AFD06 (struttura ceramica)
MO - PFD06 (struttura plastica)


6 fotodiodi in silicio P/N modello MO-DFD01
Dimensioni di ogni fotodiodo: 2,3 mm x 1,1 mm
Area attiva di ogni fotodiodo: 1,89 mm^2
Dimensioni del package: 11,4 mm x 10,4 mm

Compatibile con OPR2100, OL2100 e KOM2100B

6 chips silicon P/N photodiode
Chip size of each photodiode: 2,3 mm x 1,1 mm
Active area of each photodiode: 1,89 mm^2
Package size: 11,4 mm x 10,4 mm

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MO-AFT04L

MO - AFT04L (struttura ceramica)
MO - PFT04L (struttura plastica)


4 fototransistori in silicio NPN
fototransistori ad alte performances: MO-DFT02
Passo ottico: 0,60 mm
Dimensione del package: 6 mm x 4,6 mm

4 chips silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,60 mm
Package size: 6 mm x 4,6 mm

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MO-AFT06L

MO - AFT06L (struttura ceramica)
MO - PFT06L (struttura plastica)


6 fototransistori in silicio NPN
fototransistori ad alte performances: MO-DFT02
Passo ottico: 0,60 mm
Dimensione del package: 6 mm x 5,8 mm
Package molto compatto

6 chips silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,60 mm
Package size: 6 mm x 5,8 mm

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MO - AFT06S (struttura ceramica)
MO - PFT06S (struttura plastica)


6 fototransistori in silicio NPN
fototransistori ad alte performance: MO-DFT02
Passo ottico: 0,68 mm
Dimensione del package: 7,5 mm x 6,6 mm

6 chips silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,68 mm
Package size: 6 mm x 5,8 mm

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MO-AFT10L

MO - AFT10L (struttura ceramica)
MO - PFT10L (struttura plastica)


10 fototransistori in silicio NPN
fototransistori ad alte performances: MO-DFT02
Passo ottico: 0,60 mm
Dimensione del package: 6 mm x 9,2 mm

10 chips silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,60 mm
Package size: 6 mm x 9,2 mm

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MO-AFT10s

MO - AFT10S (struttura ceramica)
MO - PFT10S (struttura plastica)


10 fototransistori in silicio NPN
Passo ottico: 0,68 mm
Dimensione del package: 6 mm x 9,2 mm

10 chip silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,68 mm
Package size: 6 mm x 9,2 mm

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MO-AFT13L

MO - AFT13L (struttura ceramica)
MO - PFT13L (struttura plastica)


13 fototransistori in silicio NPN
Passo ottico: 0,60 mm
Dimensione del package: 6 mm x 11,8 mm

13 chips silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,60 mm
Package size: 6 mm x 11,8 mm

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MO-AFT13s

MO - AFT13S (struttura ceramica)
MO - PFT13S (struttura plastica)


13 fototransistori in silicio NPN
Passo ottico: 0,68 mm
Dimensione del package: 6 mm x 11,8 mm

13 chips silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,68 mm
Package size: 6 mm x 11,8 mm

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I packages presentati Gruppo di sensori di luce.in questa pagina sono modelli standard. Altri tipi sono disponibili su parametri e specifiche del cliente e sono modelli che per concordata riservatezza non sono divulgabili. Possiamo progettare e produrre il sensore (silicio) e il package, quindi tutto l'optodispositivo, in qualsiasi foggia e dimensione. Sono disponibili anche collimatori e dischi specifici.

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