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Elenco dei fotosensori

• alta velocitą
• alta responsivity
• copertura antiriflesso (ARC) filtro ¼ d'onda

Fotodiodo in Silicio P/N
Copertura Antiriflesso
Dimensioni del chip: 2,3 mm x 1,1 mm
Area attiva del Fotodiodo: 1,89 mm² (2,1 mm x 0,9 mm)
Spessore del Chip: 0,385 mm

Silicon P/N photodiode
Antireflective coating
Chip size: 2,3 mm x 1,1 mm
Photodiode active area: 1,89 mm² (2,1 mm x 0,9 mm)
Chip thickness: 0,385 mm

Maggiori informazioni su: DFD01

Fototransistore in Silicio NPN
Copertura Antiriflesso
Dimensioni del chip: 0,71 mm x 0,50 mm
Area attiva del Fototransistore: 0,08 mm² (0,20 mm x 0,40 mm)
Spessore del chip: 0,180 mm
Guadagno molto uniforme: ± 15%

Silicon NPN phototransistor
Antireflective coating
Chip size: 0,71 mm x 0,50 mm
Phototransistor active area: 0,08 mm² (0,20 mm x 0,40 mm)
Chip thickness: 0,180 mm
High gain uniformity: ± 15%

Maggiori informazioni su: DFT02

Fototransistore in Silicio NPN ottimizzato alta velocitą con ampia area attiva
Copertura Antiriflesso
Dimensioni del chip: 0,95 mm x 0,60 mm
Ampia area attiva del Fototransistore: 0,180 mm² (0,45 mm x 0,40 mm)
Spessore del chip: 0,240 mm
Guadagno molto uniforme: ± 15%

High performance Silicon NPN phototransistor (high speed with wide active area)
Antireflective coating
Chip size: 0,95 mm x 0,60 mm
Phototransistor active area: 0,180 mm² (0,45 mm x 0,40 mm)
Chip thickness: 0,240 mm
High gain uniformity: ± 15%

Maggiori informazioni su: DFT01

Fototransistore monolitico in silicio NPN ottimizzato
Passo ottico: 0,60 mm
Copertura antiriflesso
Monolitico: numero di fototransistori a richiesta del cliente
Area attiva del fototransistore: 0,180 mm² (0,45 mm x 0,40 mm)
Spessore del chip: 0,240 mm
Guadagno molto uniforme: ±15%

High performance monolitic silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,60 mm
Antireflective coating
Array: bit number on customer’s request
Phototransistor active area: 0,180 mm² (0,45 mm x 0,40 mm)
Chip thickness: 0,240 mm
High gain uniformity: ±15%

Maggiori informazioni su: DMTxx

Fototransistore monolitico in silicio NPN ottimizzato
Passo ottico: 0,68 mm
Copertura antiriflesso
Monolitico: numero di fototransistori a richiesta del cliente
Area attiva del fototransistore: 0,180 mm² (0,45 mm x 0,40 mm)
Spessore del chip: 0,240 mm
Guadagno molto uniforme: ±15%

High performance monolitic silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,68 mm
Antireflective coating
Array: bit number on customer’s request
Phototransistor active area: 0,180 mm² (0,45 mm x 0,40 mm)
Chip thickness: 0,240 mm
High gain uniformity: ±15%

Maggiori informazioni su: DMTxx

Sensore di colore monolitico.
Tricromia RGB
Fotodiodi.

Monolithic color sensor
RGB sensor
Photodiodes.

Maggiori informazioni su: DCD01

Elenco dei fotosensori che abbiamo a disposizione e che possiamo montare a richiesta nei nostri optodispositivi (sensore + package)

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Micropto S.r.l.
Via M. Melloni, 6
20129 Milano (Italy)

Tel.: +39.02.76316761
Tel.: +39.02.76011848
Fax: +39.02.76026262
URL: http://www.micropto.com

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