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Elenco dei foto-sensori


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Di seguito sono elencati i fotodiodi ed i fototransistori in silicio che montiamo nei nostri optodispositivi. Altri modelli (disponibili anche in GaAs) ve ne sono in coda a questa pagina. I principali sono dotati di caratteristiche speciali:
  • alta velocit༯font>
  • alta responsivity
  • copertura antiriflesso (ARC) filtro ? d'onda

 

Fotodiodo DFD01 MO-DFD01

Fotodiodo in Silicio P/N
Copertura Antiriflesso
Dimensioni del chip: 2,3 mm x 1,1 mm
Area attiva del Fotodiodo: 1,89 mm2 (2,1 mm x 0,9 mm)
Spessore del Chip: 0,385 mm

Silicon P/N photodiode
Antireflective coating
Chip size: 2,3 mm x 1,1 mm
Photodiode active area: 1,89 mm2 (2,1 mm x 0,9 mm)
Chip thickness: 0,385 mm

Maggiori informazioni su: DFD01

Fototransistor DFT02 MO-DFT02

Fototransistore in Silicio NPN
Copertura Antiriflesso
Dimensioni del chip: 0,71 mm x 0,50 mm
Area attiva del Fototransistore: 0,08 mm2 (0,20 mm x 0,40 mm)
Spessore del chip: 0,180 mm
Guadagno molto uniforme: ? 15%

Silicon NPN phototransistor
Antireflective coating
Chip size: 0,71 mm x 0,50 mm
Phototransistor active area: 0,08 mm2 (0,20 mm x 0,40 mm)
Chip thickness: 0,180 mm

High gain uniformity: ? 15%

Maggiori informazioni su: DFT02

NUOVO fototransistor DFT01

MO-DFT01 (NUOVO - in sviluppo!)

Fototransistore in Silicio NPN ottimizzato alta velocit?on ampia area attiva
Copertura Antiriflesso
Dimensioni del chip: 0,95 mm x 0,60 mm
Ampia area attiva del Fototransistore: 0,180 mm2 (0,45 mm x 0,40 mm)
Spessore del chip: 0,240 mm
Guadagno molto uniforme: ? 15%

High performance Silicon NPN phototransistor (high speed with wide active area)
Antireflective coating

Chip size: 0,95 mm x 0,60 mm
Phototransistor active area: 0,180 mm2 (0,45 mm x 0,40 mm)
Chip thickness: 0,240 mm
High gain uniformity: ? 15%

Maggiori informazioni su: DFT01

Composizione di XX fototransistors, anche monolitica DMTxx.

MO-DMTxxL

Fototransistore monolitico in silicio NPN ottimizzato
Passo ottico: 0,60 mm
Copertura antiriflesso
Monolitico: numero di fototransistori a richiesta del cliente
Area attiva del fototransistore: 0,180 mm2 (0,45 mm x 0,40 mm)
Spessore del chip: 0,240 mm
Guadagno molto uniforme: ?15%

High performance monolitic silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,60 mm
Antireflective coating
Array: bit number on customer’s request
Phototransistor active area: 0,180 mm2 (0,45 mm x 0,40 mm)
Chip thickness: 0,240 mm
High gain uniformity: ?15%

Maggiori informazioni su: DMTxx

MO-DMTxxS

Fototransistore monolitico in silicio NPN ottimizzato
Passo ottico: 0,68 mm
Copertura antiriflesso
Monolitico: numero di fototransistori a richiesta del cliente
Area attiva del fototransistore: 0,180 mm2 (0,45 mm x 0,40 mm)
Spessore del chip: 0,240 mm
Guadagno molto uniforme: ?15%

High performance monolitic silicon NPN phototransistor
Optical pitch: 0,68 mm
Antireflective coating
Array: bit number on customer’s request
Phototransistor active area: 0,180 mm2 (0,45 mm x 0,40 mm)
Chip thickness: 0,240 mm
High gain uniformity: ?15%

Maggiori informazioni su: DMTxx

MO-DCD03

Sensore di colore monolitico.
Tricromia RGB
Fotodiodi.

Monolithic color sensor
RGB sensor
Photodiodes.

Maggiori informazioni su: DCD01

Strutture e disposizioni particolari sono realizzabili su disegno e proposta dei nostri clienti.

Elenco dei fotosensori che abbiamo a disposizione e che possiamo montare a richiesta nei nostri optodispositivi (sensore + package)

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